NEO Semiconductor的3D X-DRAM通过概念验证,成为颠覆性的HBM替代方案
Toms Hardware•2026年4月24日 15:20•infrastructure▸▾
分析
NEO Semiconductor在AI硬件领域取得了惊人的进展,证明了其高密度3D X-DRAM可以利用现有的3D NAND基础设施进行制造。这一突破为大幅降低下一代AI工作负载的成本和功耗提供了一条极具前景的途径,优于传统的HBM。凭借新获得的战略资金,该公司已完全准备好为蓬勃发展的AI行业带来内存架构的革命。
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查看原文"NEO Semiconductor于4月23日宣布,其3D X-DRAM技术已成功通过概念验证(POC),证明了可以使用现有的3D NAND基础设施制造新型高密度DRAM。"