Siベースの量子ビットにおける谷の自由度へのゼーマン様結合

この論文は、シリコンベースの量子ビットの性能向上に不可欠な、谷の自由度を操作する新しいアプローチを探求しています。谷分裂の従来の理解に異議を唱え、「valleyors」の概念を導入して谷の自由度を説明しています。この論文は、ひずみや磁場などの外部場を使用して谷の自由度を制御するために使用できる、谷磁場の作成の潜在的なメカニズムを特定しています。この研究は、谷量子ビットの制御に関する新たな洞察を提供し、既存の技術を超えた代替方法を示唆しています。

• •Siベースの量子ビットにおける谷の自由度を説明するために、「valleyors」の概念を導入。
• •ひずみや磁場を使用して谷磁場を作成するための潜在的なメカニズムを特定。
• •既存の技術を超えた、谷の自由度を制御するための代替方法を提案。