高钪AlScN薄膜的晶圆级集成

本文解决了MEMS制造中的一个重大挑战：在大面积上沉积高质量、高钪含量的AlScN薄膜。作者展示了一种成功的方法来克服异常晶粒生长和应力控制等问题，从而获得具有优异压电性能的均匀薄膜。这对于推进MEMS技术至关重要。

• •成功地在200 mm晶圆上沉积了高质量的Al0.64Sc0.36N薄膜。
• •实现了高沉积速率，同时具有低缺陷和可控应力。
• •展示了在结构、成分和压电特性方面的优异均匀性。
• •这些发现对下一代MEMS应用具有重要意义。