高スカンジウムAlScN薄膜のウェーハスケール集積

本論文は、MEMS製造における重要な課題、すなわち、高品質で高スカンジウム含有量のAlScN薄膜の大面積への堆積に取り組んでいます。著者は、異常な結晶成長や応力制御などの問題を克服するための成功したアプローチを実証し、優れた圧電特性を持つ均一な薄膜を実現しました。これは、MEMS技術の進歩にとって重要です。

• •200mmウェーハ上に高品質のAl0.64Sc0.36N薄膜の堆積に成功。
• •低欠陥と制御可能な応力で高い堆積速度を達成。
• •構造、組成、圧電特性において優れた均一性を実証。
• •この発見は、次世代MEMSアプリケーションにとって重要である。