基于第一性原理的Si/SiGe异质结构谷分裂

这篇文章报告了使用计算方法研究Si/SiGe异质结构中的谷分裂。重点是理解这些材料的电子特性，这与量子计算和先进电子学的潜在应用相关。使用“第一性原理”表明这是一种严格的、从头算方法，这意味着计算基于基本的物理定律，没有经验参数。来源ArXiv表明这是一篇预印本，这意味着它尚未经过同行评审。

• •侧重于Si/SiGe异质结构的电子特性。
• •采用第一性原理计算，表明了一种严格的计算方法。
• •与量子计算和先进电子学相关。
• •作为预印本发布在ArXiv上。