合成铁磁体中斯格明子的热演化

本文研究了合成铁磁多层膜中斯格明子的温度和场依赖行为，特别是Co/Gd异质结构。这项研究意义重大，因为它探索了一个有前景的拓扑自旋电子学平台，提供了可调的磁性特性，并解决了其他磁性结构的局限性。该研究提供了关于控制斯格明子稳定性的磁相互作用相互作用的见解，并为设计用于自旋电子学应用的异质结构提供了途径。

• •研究了Co/Gd合成铁磁体中的斯格明子行为。
• •展示了室温下的斯格明子稳定化。
• •提供了关于Co和Gd子晶格对磁化影响的见解。
• •开发了一个自旋模型来再现实验观察结果。
• •为设计用于自旋电子学应用的异质结构提供了途径。