La3Ni2O7薄膜におけるひずみエンジニアリングによる高温超伝導

この論文は、ひずみがLa3Ni2O7薄膜の超伝導特性を最適化するためにどのように使用できるかを調査しています。密度汎関数理論を用いて、ひずみが電子構造と超伝導転移温度（Tc）に与える影響をモデル化しています。この研究結果は、構造的対称性、電子トポロジー、および磁気不安定性の間の相互作用に関する洞察を提供し、ひずみベースの超伝導最適化のための理論的枠組みを提供します。

• •ひずみは、La3Ni2O7の電子構造と超伝導特性を調整するために使用できます。
• •引張ひずみは、リフシッツ転移とペアリング強度の増加につながる可能性がありますが、磁気近接性も増加します。
• •圧縮ひずみは、結合の直線化とホールポケットの出現により、特にI4/mmm相でTcを向上させることができます。
• •この研究は、ニッケル酸塩における構造的対称性、電子トポロジー、および磁気不安定性のバランスを強調しています。