BaMnBi2中的自旋-谷耦合：量子霍尔效应和非线性霍尔效应

这篇论文提供了在块体材料BaMnBi2中存在自旋-谷锁定的电子态的实验证据，这是谷电子学领域的一项重要发现。对堆叠量子霍尔效应和非线性霍尔效应的观察，以及对自旋-谷简并性的分析，为这种独特状态的存在提供了有力支持。与姊妹化合物BaMnSb2的对比突出了晶体结构和自旋-轨道耦合在决定这些特性方面的重要性，为探索块体材料中耦合自旋-谷物理学及其在谷电子器件应用中的潜力开辟了一条新途径。

• •块体BaMnBi2中自旋-谷锁定电子态的实验证据。
• •观察到堆叠量子霍尔效应和非线性霍尔效应。
• •确定自旋-谷简并度为4。
• •与BaMnSb2的对比突出了晶体结构和自旋-轨道耦合的作用。
• •谷电子器件应用的潜力。