低损耗可切换拓扑光子晶体

Research Paper#Photonics, Topological Insulators, Phase-Change Materials🔬 Research|分析: 2026年1月3日 18:40•
发布: 2025年12月29日 15:57
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分析

这篇论文展示了在可重构光子拓扑绝缘体（PTI）方面的重要进展。关键创新在于使用三硒化锑（Sb2Se3），一种低损耗相变材料（PCM），集成到基于硅的2D PTI中。这克服了之前基于GST的设备的吸收限制，实现了高Q因子，并为实用、低损耗、可调谐的拓扑光子器件铺平了道路。Sb2Se3的亚微米级图案化也是一项值得注意的成就。
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"“Owing to the transparency of Sb2Se3 in both its amorphous and crystalline states, a high Q-factor on the order of 10^3 is preserved-representing nearly an order-of-magnitude improvement over previous GST-based devices.”"
A
ArXiv2025年12月29日 15:57
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