低損失スイッチ可能なトポロジカルフォトニック結晶

この論文は、再構成可能なフォトニックトポロジカル絶縁体（PTI）における重要な進歩を示しています。主な革新は、低損失相変化材料（PCM）である三セレン化アンチモン（Sb2Se3）を、シリコンベースの2D PTIに統合したことです。これにより、従来のGSTベースのデバイスの吸収制限が克服され、高いQファクターが実現し、実用的で低損失の調整可能なトポロジカルフォトニックデバイスへの道が開かれます。Sb2Se3のサブミクロン規模のパターニングも注目すべき成果です。

• •低損失、スイッチ可能なフォトニックトポロジカル絶縁体を導入。
• •吸収制限を克服するために、低損失相変化材料であるSb2Se3を利用。
• •Sb2Se3のサブミクロン規模のパターニングを実現。
• •高いQファクターを実証し、従来のデバイスを大幅に改善。
• •実用的で調整可能なトポロジカルフォトニックデバイスへの道を開く。