单层二维半导体中的线性激子霍尔和能斯特效应

本文研究了单层二维半导体中的线性激子霍尔和能斯特效应。它使用半经典输运理论推导出激子Berry曲率，并分析了其对霍尔电流和能斯特电流的影响。该研究强调了材料对称性在诱导这些效应中的作用，即使没有Berry曲率，并提供了对特定材料（如TMD和黑磷）中激子行为的见解。这些发现对于理解和潜在地操纵二维材料中的激子输运，以用于光电子应用具有重要意义。

• •研究二维半导体中的线性激子霍尔和能斯特效应。
• •推导激子Berry曲率并分析其影响。
• •强调材料对称性在诱导这些效应中的作用。
• •提供对TMD和黑磷中激子行为的见解。
• •与光电子应用相关。