単層2次元半導体における線形励起子ホール効果とネルンスト効果

本論文は、単層2次元半導体における線形励起子ホール効果とネルンスト効果を研究しています。半古典的輸送理論を用いて、励起子Berry曲率を導出し、ホール電流とネルンスト電流への影響を分析しています。Berry曲率がなくても、材料の対称性がこれらの効果を誘発する役割を強調し、TMDsや黒リンなどの特定の材料における励起子の挙動に関する洞察を提供しています。この研究結果は、光電子応用における2次元材料での励起子輸送の理解と、潜在的な操作に役立ちます。

• •2次元半導体における線形励起子ホール効果とネルンスト効果を調査。
• •励起子Berry曲率を導出し、その影響を分析。
• •これらの効果を誘発する材料対称性の役割を強調。
• •TMDsと黒リンにおける励起子の挙動に関する洞察を提供。
• •光電子応用に関連。