相位误差对近场RIS性能的影响

分析

本文探讨了可重构智能表面(RIS)部署中的一个关键实际问题:相位误差对近场RIS性能的影响。它通过考虑相位误差和幅度变化之间的相互作用,超越了简单的模型,这更真实地代表了现实世界的RIS行为。剩余功率(RP)指标的引入和频谱效率界限的推导是重要的贡献,为在存在缺陷的情况下分析和优化RIS性能提供了工具。本文强调了在RIS设计中考虑相位误差的重要性,以避免对性能增益的过高估计,并弥合理论预测与实验结果之间的差距。
引用 / 来源
查看原文
"Neglecting the PEs in the PDAs leads to an overestimation of the RIS performance gain, explaining the discrepancies between theoretical and measured results."
A
ArXiv2025年12月28日 07:30
* 根据版权法第32条进行合法引用。