基于MBE在体AlN上生长的265nm UV-C LED的边发射
分析
本文展示了在265 nm波长发射的UV-C LED的制造和性能，该波长对于消毒和杀菌至关重要。在体AlN衬底上使用分子束外延（MBE）可以实现高质量的材料生长，从而实现高电流密度、开/关比和低微分导通电阻。类似于激光二极管的边发射设计是高效光提取的关键创新。本文还确定了n型接触电阻是改进的主要领域。
要点
引用
“实现了高达800 A/cm$^2$的高电流密度、5个数量级的开/关比，以及在最高电流密度下2.6 m$Ω\cdot$cm$^2$的低微分导通电阻。”