基于MBE在体AlN上生长的265nm UV-C LED的边发射

Research Paper#UV-C LED, AlGaN, MBE, Edge Emission🔬 Research|分析: 2026年1月3日 16:56•
发布: 2025年12月29日 23:13
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分析

本文展示了在265 nm波长发射的UV-C LED的制造和性能，该波长对于消毒和杀菌至关重要。在体AlN衬底上使用分子束外延（MBE）可以实现高质量的材料生长，从而实现高电流密度、开/关比和低微分导通电阻。类似于激光二极管的边发射设计是高效光提取的关键创新。本文还确定了n型接触电阻是改进的主要领域。
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"High current density up to 800 A/cm$^2$, 5 orders of on/off ratio, and low differential on-resistance of 2.6 m$Ω\cdot$cm$^2$ at the highest current density is achieved."
A
ArXiv2025年12月29日 23:13
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