バルクAlN基板上にMBE法で成長させた265nm UV-C LEDのエッジ発光
分析
この論文は、消毒や殺菌に重要な波長である265 nmで発光するUV-C LEDの製造と性能を示しています。バルクAlN基板上での分子線エピタキシー（MBE）の使用により、高品質な材料成長が可能になり、高電流密度、オン/オフ比、および低い微分オン抵抗が実現されています。レーザーダイオードと同様のエッジ発光設計は、効率的な光抽出のための重要な革新です。また、論文は、n接点抵抗が改善の主要な領域であると特定しています。
重要ポイント
参照
“最高電流密度で800 A/cm$^2$までの高電流密度、5桁のオン/オフ比、および2.6 m$Ω\cdot$cm$^2$の低い微分オン抵抗が達成されています。”