电路QED色散读出中的边界条件
分析
本文通过边界条件的视角,为电路QED色散读出提供了一种新颖的观点。它提供了从第一原理推导,将量子比特的跃迁频率与频率相关边界条件的极点结构联系起来。谱理论的应用以及色散位移和真空Rabi分裂等关键现象的推导具有重要意义。论文对仅奇偶校验测量以及多量子比特系统中频率简并条件的分析也值得关注。
引用
“色散位移和真空Rabi分裂从超越特征值方程中产生,残差由与分裂匹配确定:$δ_{ge} = 2Lg^2ω_q^2/v^4$,其中$g$是真空Rabi耦合。”
本文通过边界条件的视角,为电路QED色散读出提供了一种新颖的观点。它提供了从第一原理推导,将量子比特的跃迁频率与频率相关边界条件的极点结构联系起来。谱理论的应用以及色散位移和真空Rabi分裂等关键现象的推导具有重要意义。论文对仅奇偶校验测量以及多量子比特系统中频率简并条件的分析也值得关注。
“色散位移和真空Rabi分裂从超越特征值方程中产生,残差由与分裂匹配确定:$δ_{ge} = 2Lg^2ω_q^2/v^4$,其中$g$是真空Rabi耦合。”