通过溅射在蓝宝石上制备单晶高质量β-Ga2O3伪衬底用于外延生长

本文报道了通过溅射在蓝宝石上制备高质量β-Ga2O3伪衬底。这对于外延生长至关重要，外延生长是半导体制造的关键工艺。这项研究可能侧重于提高衬底的质量，以增强后续外延层的性能。使用溅射作为制造方法也是一个关键方面，因为它提供了一种潜在的可扩展和可控的方法。