スパッタリングによるエピタキシャル成長のためのサファイア基板上の単結晶高品質β-Ga2O3疑似基板

この記事は、スパッタリングを用いてサファイア上に高品質のβ-Ga2O3疑似基板を作成したことを報告しています。これは、半導体製造に不可欠なエピタキシャル成長にとって重要です。この研究は、その後のエピタキシャル層の性能を向上させるために、基板の品質を改善することに焦点を当てている可能性があります。スパッタリングを製造方法として使用することも重要な側面であり、スケーラブルで制御可能なアプローチを提供する可能性があります。

• •高品質のβ-Ga2O3疑似基板の作成に焦点を当てています。
• •スパッタリングを製造に使用しています。
• •エピタキシャル成長プロセスの改善を目指しています。