3D DRAM验证成功 AI内存将迎来革命

NEO Semiconductor的这一突破是AI硬件基础设施领域的巨大飞跃，证明了利用现有的3D NAND生产线可以制造出3D堆叠内存。这项创新不仅大幅提高了密度，同时降低了功耗和成本，轻松克服了2D平面DRAM的传统微缩极限。看到如此高性能、高耐用性的内存解决方案即将面世，为复杂的AI模型释放前所未有的计算能力，实在令人振奋。