基于Hf/Zr超晶格的高κ栅极电介质，通过偶极子层工程用于先进CMOS

这项研究探讨了在先进CMOS技术中使用Hf/Zr超晶格作为高κ栅极电介质。该研究侧重于偶极子层工程，以提高这些电介质的性能。这篇论文可能研究了这种方法在未来晶体管设计中的电学特性和潜在优势。标题表明重点是通过材料科学和工程来提高晶体管性能。

• •专注于用于高κ栅极电介质的Hf/Zr超晶格。
• •采用偶极子层工程来增强性能。
• •旨在改进先进CMOS技术。