ゲルマニウムサブレイヤーが超薄膜銅の耐食性を向上させる

この論文は、電子機器や保護コーティングにおける重要なトピックである、超薄膜銅の腐食挙動を調査しています。この研究の重要性は、酸化プロセスの検証と、既存の理論から逸脱したモデルの開発にあります。主な発見は、ゲルマニウムサブレイヤーを持つ銅膜の耐食性が向上したことであり、電磁干渉保護デバイスにおける金の代替として、費用対効果の高い可能性を提供しています。この研究は、材料劣化に関する貴重な洞察を提供し、デバイス設計と材料選択に実用的な意味合いをもたらします。

• •超薄銅膜は時間の経過とともに腐食し、放物線状の酸化法則に従います。
• •ゲルマニウムサブレイヤーは、銅膜の耐食性を大幅に向上させます。
• •耐性の向上は、銅膜成長中のゲルマニウムの再分布に起因します。
• •Cu/Ge/SiO2膜は、EMI保護における金のより安価な代替品として提案されています。