用于测试GaN器件中热载流子和陷阱生成的创新电路

这篇文章描述了一篇关于一种新电路的研究论文，该电路旨在测试GaN器件中的退化机制。重点是热载流子效应和陷阱生成，这对于器件可靠性至关重要。创新之处在于电路的设计，这可能允许与现有方法相比更有效或更准确的测试。来源ArXiv表明这是一篇预印本或研究论文，表明这些发现是初步的，尚未经过同行评审。

• •侧重于用于测试GaN器件退化的新电路。
• •解决了热载流子效应和陷阱生成问题。
• •可能提供改进的测试效率或准确性。
• •基于ArXiv预印本，表明初步发现。